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陶氏最新CMP銅製程可用於14nm節點

上網時間: 2011年09月13日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:化學機械研磨  CMP  RL3100  VisionPad  研磨墊 

陶氏化學 (Dow Chemical) 旗下的陶氏電子材料稍早前發佈最新產品:化學機械研磨 (CMP)銅製程。全新製程結合陶氏化學獨家 RL3100無研磨粒、自停 (self-stopping) 機制,以及 VisionPad 5000 研磨墊,提供 CMP 銅製程高效能、低成本的解決方案。

該公司表示,其他含有研磨粒的研磨液,一般會形成erosion或刮痕(scratching),而 RL3100 獨特的無研磨粒特性可以將缺陷降到最低,以達成更高的良率。此外RL3100的稀釋能力,減免研磨墊的清洗及研磨墊conditioning的減低,進而增加研磨墊的使用壽命,這些都是RL3100提供低成本的解決方案。

經實際生產測試,陶氏的獨家無研磨粒解決方案科已獲 90~45 奈米 300 mm 高產量製造商採用超過三年。同時,此一新世代無研磨粒解決方案也被領先的 IDM(整合元件廠)選為 14 奈米節點的記錄製程(Process of Record),以及獲得主要晶圓代工廠選為28 奈米的TSV製程。

「根據摩爾定律,半導體元件微縮需要全新的CMP製程方案,以因應主要的製造挑戰。」陶氏電子材料 CMP 研磨液研發總監余維中博士表示。「我們的研究與應用團隊直接與客戶合作,確保本公司的 CMP 解決方案,符合 IC 製造商對下一世代元件的需求。這一全新無研磨粒CMP製程是以此需求為發展基礎。由於其所提供顯著的製程優勢及成本效益,而引起業界很大的關注。」 

在不同的線寬與線譜密度下,陶氏的 RL3100 + VisionPad 5000 研磨墊CMP銅製程能均具備low-dishing 及no-erosion的顯著優勢。該製程具備高銅研磨速率(high Cu rate) 、晶圓表面銅的清除能力(clearing)、更具有對於阻絕層(barrier films)與介電層(dielectric films)的極高選擇比等特性,以及高良率、嚴格的Rs控制、高產能、以及寬大的製程窗口等優勢。





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