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瑞薩新款SiGe:C異質接面電晶體實現更低雜訊

上網時間: 2011年09月30日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SiGe:C  異質接面電晶體  HBT  NESG7030M04  放大電晶體 

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣佈推出新款 SiGe:C 異質接面電晶體(SiGe:C HBT) NESG7030M04 ,採用全新開發的碳(SiGe:C)材料矽鍺製程,當運作頻段在5.8GHz時可達到0.75dB雜訊值的低雜訊效能,提供更優異的通訊接收靈敏度及低耗電量,可作為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電等應用。

新款SiGe:C HBT 電晶體可將無線接收到的微弱微波訊號放大為適合的水準,以達到0.75 dB的雜訊值,為無線區域網路及其他應用所使用5.8GHz頻段的最高水準。由於能夠以如此低的雜訊放大訊號強度,因此可提高終端產品的通訊接收靈敏度。由於它可減少訊號傳輸錯誤,因此其運作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩現有產品的四分之一。

瑞薩銷售適用於微波放大器應用的電晶體及IC,為無線區域網路、消費性家用無線電話、地面數位電視廣播調整器以及包含 GPS 功能的設備等提供解決方案。瑞薩並已開發出採用 SiGe:C 材料的全新製程技術,以回應市場對於更低雜訊的需求,並且為衛星廣播所使用的12GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎,瑞薩已開發並推出 NESG7030M04 SiGe:C HBT 裝置,可達到最低雜訊效能,並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。

利用新開發的SiGe:C製程,瑞薩5.8GHz頻段 SiGe:C HBT 及 SiGe HBT 裝置達到最低的雜訊值0.75dB。相較於瑞薩先前的 SiGe HBT 裝置,改善了0.35dB。另外,此裝置在最小雜訊值條件下可獲得14.0dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號傳輸錯誤減少,而且新裝置能以瑞薩先前產品四分之一的耗電量,提供接近的效能。

在早期以矽為基礎的異質接面電晶體中,無法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少雜訊,而這限制了這些裝置可使用的應用範圍。在此新款產品中,瑞薩最佳化集極-基極的特徵,使其能夠確保4.3V的耐受電壓等級。如此提高了所使用的電壓供應範圍,並且在數MHz到14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定的運作效能,使此裝置適用於更廣泛的應用範圍。例如,它支援所有 ISM 頻段應用,包括智慧電網、智慧電錶及家庭區域網路(HAN)應用。

另外,由於此電晶體是為了微波應用而開發的,因此瑞薩提供標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩封裝名稱:M04封裝)。因此,此產品有助於減少使用者終端產品的製造步驟,例如由於現有封裝的良好記錄,可簡化安裝評估程式,或者使用現有的電路板線路圖,僅需稍微修改周圍的電路。

在利用該新製程的優勢,擴充具有最高水準低雜訊效能的雙載子電晶體產品線的同時,瑞薩亦承諾將此新製程部署至微波IC的開發,並進一步提供此領域的解決方案,以回應市場需求。





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