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ST創新類比放大器獲QML V認證

上網時間: 2011年10月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:QML V  RHF484  RHF310  RHF330  RHF350 

意法半導體(STMicroelectronics, ST)新推出四款獲得QML V官方認證的放大器晶片 RHF484, RHF310, RHF330, RHF350 。新的抗輻射類比元件強化了抗輻射性能,在已發現的惡劣太空環境中能夠正常運作,確保設備具有更長的耐用性。

新產品包括四款晶片: RHF484, RHF310, RHF330, RHF350 。 RHF484是由4個RHF43B組成的4路運算放大器,可替代工業標準運算放大器晶片,採用Flat-14W封裝,2011年通過QML V認證。

RHF310和RHF330是超低功耗5V運算放大器,是各種訊號調節應用的理想選擇。120MHz和1.0GHz兩個型號已取得QML V證書。另一款產品550 MHz RHF350預計於2011年第四季通過認證。

意法半導體以300 krad(Si)的標準抗離子化輻射能力(總離子化劑量測試,簡稱TID),包括抗低速率輻射測試,而成為航太工業的半導體元件抗輻射參考標準。無強化型低劑量速率敏感效應(ELDRS-free)晶片讓意法半導體成為首家獲得抗輻射保證(RHA)認證的半導體供應商。

透過推出無單一事件鎖定(Single Event Latch-up,SEL)效應和單一事件錯誤中斷測試(Single Event False Interrupt,SEFI)效應的元件,意法半導體擁有市場上最高的抗離子化輻射能力,將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術提高至新一層級。在這些新產品中,意法半導體引領市場的先進技術還包括單一事件瞬態(Single Event Transients,SET)保護功能。單一事件瞬態現象是重離子引起的瞬間錯誤,是航太類比元件必須克服的一大挑戰。

意法半導體的航太領域類比元件在設計方面特別關注單一事件瞬態效應,並經過了全面的特征化分析,擁有瞬間錯誤脈衝的低振幅,時間短的特性。

意法半導體的抗輻射類比晶片均採用BICMOS製程,擁有極低的功耗。在法國國家太空研究中心(Centre National d'Etudes Spatiales、CNES)的大力支持下,這些元件通過測試後直接進入歐洲產品目錄(EPPL) 。





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