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Ushio將EUV光源提高一倍

上網時間: 2011年11月03日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:超紫外光  EUV  光源  晶圓  ASML 

德的Xtreme Technologies宣佈,已將用於超紫外光(EUV)的雷射輔助放電電漿型(laser-assisted discharge plasma, LDP)光源亮度提高一倍。這家日本 Ushio 的全資子公司表示,在100%工作週期下,於中間焦點(intermediate focus)測量到了30W的輸出。

此外,該公司也聲稱該技術在實際應用後,還可望進一步提高亮度,目前該公司經有一個100W的原型。

這個步驟非常重要,因為目前包括ASML Holding NV的 EUV 微影掃描器在內,在特定時間內所能處理的晶圓數量都很有限,而且非常不經濟。可達100W的光源可實現每小時60片晶圓的吞吐量;而250W的光源每小時可處理125片晶圓。

更高的吞吐量有助於降低EUV的擁有成本。每小時100片晶圓的吞吐量,是已被晶片製造商採用的前幾代193nm波長光學微影設備基準。

Xtreme在2011年10月於美國佛羅里達州舉辦的超紫外光微影暨微影擴展技術研討會中報告了在光源方面的最新進展。

2011年2月,Xtreme已宣佈在100%工作週期下,於中間焦點獲得15W的輸出。而透過解決碎片(debris)和熱處理等問題,該公司已經穩定地實現30W的輸出,Ushio還聲稱當前的解決方案可擴展到更高的輸出。

“我們的光源原型已經證實能在中間焦點實現100W的輸出。我們已經在中間焦點和連續發射條件下達到了30W瓦的輸出,Xtreme Technology執行副總裁兼技術長Masaki Yoshioka在一份聲明中表示。

IMEC已經裝設了ASML公司的預生產EUV微影掃描器NXE:3100,該設備採用Ushio的放電激發電漿型(DPP)光源,但目前每小時僅能處理少量晶圓。

編譯: Joy Teng

(參考原文: EUV litho source is much brighter, says Ushio,by Peter Clarke)





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