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2011 IEDM論文 旺宏入選五篇

上網時間: 2011年12月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:國際電子元件大會  記憶體  PCM  ReRAM  BE-SONOS 

旺宏電子(MXIC)日前宣佈,在2012年的微電子元件界年度重要會議──國際電子元件大會(IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM)中,該公司共有五篇論文入選,顯示在先驅記憶體之研發成果深受國際肯定,因此,自去年起,旺宏即有三位研究同仁分別獲邀擔任IEDM三個分組論文審查委員會之評審委員。

今年旺宏電子在IEDM所發表的五篇論文,主要是針對PCM, ReRAM及BE-SONOS等次世代非揮發性記憶體之材料結構、可靠性及製程微縮等問題進行深入探討。

今年IEDM共有來自全球逾600篇論文投稿,最後評選出200餘篇於會中發表。台灣獲選論文除了旺宏以外,主要還包括交大6篇、國家奈米實驗室4篇、工研院3篇及台積電2篇等。全球則以美國IBM發表22篇最多,歐洲比利時微電子研究中心IMEC的16篇居次。

旺宏電子董事長吳敏求指出,「繼美國權威調研諮詢機構專利委員會 (The Patent Board)評比旺宏的專利實力在全球半導體企業排名十八、台灣企業列名第一的結果之後,旺宏今年在IEDM獲得的高入選論文篇數,又是另一項肯定旺宏研發實力的具體指標。」

旺宏電子總經理盧志遠表示,「旺宏自2001年開始於IEDM發表技術論文,短短幾年間,獲選篇數即有明顯成長,且每年均未缺席,近年來更經常成為論文篇數發表最多的台灣企業,顯示旺宏在先驅技術的深耕有成。參與IEDM,除了可藉此評鑑自己的研發實力,同時也能向世界展現台灣的研發成果。」

旺宏十年來總計於IEDM發表41篇論文,近年來更是表現亮眼,例如2006年與IBM及Qimonda發表的20 奈米以下相變化記憶胞技術獲選為年度重要論文,更受邀至隔年的ISSCC會中再次發表;2009年以第一作者(First Author)發表五篇論文,篇數居台灣業界及學術研究機構之冠。

旺宏也於2010年起受邀擔任 IEDM三個分組論文審查委員會「Memory Technology」、「Displays, Sensors, and MEMS」及「Characterization, Reliability, and Yield」之評審委員,每屆任期兩年。





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