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英飛凌新款汽車電源MOSFET採用標準TO無鉛封裝

上網時間: 2011年12月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:汽車  MOSFET  OptiMOS T2  RoHS  無鉛 

英飛凌科技 (Infineon) 宣佈推出採用 TO 無鉛封裝的汽車電源 MOSFET 系列產品。新型 40V OptiMOS T2 MOSFET 結合創新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓製程技術。據英飛凌表示,其MOSFET 新系列產品超越了現行歐盟 RoHS 對於含鉛銲錫封裝的規範。

英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求,現今擴散焊接粘晶技術僅適用於上述三種英飛凌所提供的封裝形式,OptiMOS T2 系列產品的量產已準備就緒。

英飛凌指出,更嚴格的 ELV RoHS 標準可能將於 2014年施行,屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式。作為業界首款無鉛封裝 MOSFET,英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。

英飛凌專利的無鉛黏晶 (die attach) 技術採用擴散焊接,可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質。此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓製程(60μm,標準為 175μm),可實現不使用鉛及其他有毒物質的環保產品,並大幅降低封裝的導通電阻值 RDS(on)。

另外,熱阻 (RthJC) 改善率高達 40- 50%。英飛凌表示,傳統軟鉛焊料的熱傳導能力不佳,阻礙了MOSFET 接面之散熱,而新元件則大幅改良了熱阻。其他優點還包括:由於沒有焊錫流跡 (Bleed-out) 及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題,以及更收斂的RDS(on) 與 RthJC 分佈,提供了更佳的可製造性。降低產品內的機電應力,也提升了產品可靠性和品質。

從新款 OptiMOS T2 40V (如:IPB160N04S4-02D,160A) 的規格得知,其 RDS(on) 僅 2.0mΩ 且 RthJC 僅 0.9K/W。相較於使用標準鉛焊接的同類產品,其導通電阻降低了約 20% 。此外,英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗,讓新型 OptiMOS T2 產品擁有同級產品中最佳效能。

OtpiMOS T2 為業界率先採用 TO 無鉛封裝的車用電源 MOSFET,系列產品包括IPB160N04S4-02D ( 160A, TO-263 封裝)、 IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。





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