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憶阻器理論有誤? 美科學家發起挑戰

上網時間: 2012年01月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:憶阻器  基礎電路  三星  惠普  RRAM 

來自美國維吉尼亞阿靈頓的Blaise Mouttet,稍早前在arXiv.org上發表了一篇論文(見http://arxiv.org/abs/1201.2626,標題為‘Memresistors and non-memristive zero-crossing hysteresis curves’),該文旨在證明在所謂的兩端點記憶體元件以及產生過零磁滯曲線的憶阻器定義以外,還有著多種動態系統。

這篇文章一開始便直言:“電路理論家蔡少棠(Leon Chua)針對憶阻器的過零緊磁滯曲線定義是錯誤的”。

Blaise Mouttet反駁了將憶阻器視為繼電阻、電容和感之後第四種基礎電路元件的說法,他認為這種解釋並不正確,而惠普(HP)實驗室中正在開發的記憶體元件實際上並不是一種憶阻器,反而更像是更廣泛的可變電阻系統的一部份。

憶阻器理論最初是由柏克萊大學教授蔡少棠(Leon Chua)於1971年提出(The missing circuit element" IEEE Trans. Circuit Theory CT-18, 507-519 (1971)),試圖定義一個基礎的非線性電路元件,這種電路元件的存在及其行為都可由電磁理論所涵蓋。惠普則自2008年起,以憶阻器之名來開發金屬氧化物電阻式RAM技術。

Mouttet也曾在2010年的國際電路與系統研討會(International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS)中提出論文,反駁惠普實驗室的記憶體元件並非憶阻器,並聲稱真正擁有二氧化鈦電阻記憶體基礎美國專利(U.S. Patent 7,417,271)的企業是三星(Samsung),而非惠普。

在arXiv上發表論文後,Mouttet也和許多研究人員透過電子郵件討論非揮發性記憶體元件的實體特性。

部份電子郵件的論點贊成Mouttet的主張,即試圖將電流流過元件時電阻可被改變的任何兩端點元件定義為憶阻器,對於理解有著眾多不同類型元件的複雜領域並無助益。

這些不同的元件包括:電阻式RAM(RRAM或ReRAM)、相變記憶體(PCM)或相變 RAM (PCRAM)、導電橋接RAM (CBRAM)、鐵電RAM (FRAM),以及採用有機材料的鐵電極化記憶體。

Mouttet同時擁有一個名為《TinyTechIP》的奈米科技網誌:http://tinytechip.blogspot.com/

編譯: Joy Teng

(參考原文: Memristor 'brouhaha' bubbles under ,by Peter Clarke)





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