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Ramtron推出2Mb串列非揮發性F-RAM

上網時間: 2012年01月31日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:鐵電記憶體  FM25V20  醫療  遊戲  資料完整性 

低功耗鐵電記憶體(F-RAM)供應商 Ramtron International日前推出2百萬位元(Mb)高性能串列 F-RAM 元件 FM25V20 。該元件是 Ramtron 公司V系列 F-RAM 記憶體的新款產品,工作電壓範圍在2.0 - 3.6V之間,可取代廣泛應用的串列式快閃記憶體和串列 EEPROM

FM25V20 具有快速存取、無延遲(NoDelay)寫入、幾乎無限的讀/寫次數(1e14)及低功耗等特性。這款最新F-RAM元件是2Mb 串列快閃記憶體和串列 EEPROM 記憶體的普適型(drop-in)替代產品,其應用範圍廣泛,包括工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲及計算等應用。

FM25V20採用先進的鐵電製程,具有達到100萬億(1e14)讀/寫次數的幾乎無限的耐用性,且資料能夠可靠地保存10年。FM25V20採用快速串列周邊介面(SPI),以40MHz頻率的全速匯流排速率運行。

FM25V20具備運作功率低,工作電壓範圍寬等特性,其電壓介於2.0V - 3.6V之間,典型待機電流100μA,睡眠模式電流僅3μA。FM25V20具有串列V系列元件的標準特性,即唯讀元件ID特性,使得主機能夠確定生產廠商、產品密度和產品版本。FM25V20可在-40℃ 至 +85℃的工業溫度範圍內工作,並採用符合RoHS標準的“綠色” 8腳EIAJ SOIC 和 8腳TDFN封裝。

Ramtron 公司的V系列F-RAM記憶體產品採用低功耗130nm CMOS生產製程製造,包括串列I2C、串列SPI和並列記憶體。整個V系列F-RAM產品包括以下元件:





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