Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

eBeam創始計畫將於近日公佈最新電子束技術藍圖

上網時間: 2012年02月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:eBeam創始計畫  電子束微影  良率  20奈米  14奈米 

電子束技術聯盟「eBeam創始計畫(eBeam Initiative)」將於近日公布最新的技術藍圖,其中包括如何提升 20奈米與 14奈米晶圓製程良率的具體方法;該創始計畫的目的是改善光罩精確度與寫入時間,同時降低電子束微影技術的光罩成本。

eBeam創始計畫表示,在28奈米與20奈米以下邏輯製程節點,光罩規格通常在線寬上低於80奈米,讓維持光罩精準度與晶圓良率的困難度升高;也因為如此,光罩臨界尺寸(critical dimension,CDU)的一致性成為越來越重要的議題。該創始計畫參與成員正在導入包括光罩製程修正(mask process correction,MPC)等等電子束技術,以打造一個有效的生態系統。

「28奈米製程節點以及20奈米以下製程節點的兩個最大的光罩製作挑戰,就是精確度與發數(shot count);」eBeam創始計畫的管理級贊助成員D2S執行長Aki Fujimura表示:「光罩製作商必須持續在對於可達成高晶圓良率的光罩精準度需求,以及達成高精準度會產生的較長寫入時間、較高成本之間達成平衡。」

eBeam創始計畫的最新聲明並指出,也是該計畫成員之一的電子束微影技術供應商JEOL,已經開始接受可改善光罩CDU的客戶訂單;「無論半導體產業是將在可見的未來持續推進光學微影技術的極限,或是將轉移至EUV微影技術,提升光罩精確度都是達成高晶圓良率的關鍵。」JEOL的SE業務部門總經理Wataru Wakamiya表示。

在2012年及未來,eBeam創始計畫成員將持續證明電子束技術的進展與可用性;該創始計畫將於2月12日至16日於美國舉行的SPIE先進微影技術研討會(SPIE Advanced Lithography Symposium)上發表最新技術藍圖,並發表一篇技術白皮書(MB-MDP Enables Circular Shots to Improve Mask Accuracy As Well As Shot Count,將同時刊登於該計畫官網)。

此外eBeam創始計畫也將於SPIE會議上展示其成員 CEA-Leti 與Tela Innovations採用光學與電子束之複合式微影技術研發成果。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: E-beam Initiative ready with updated roadmap,by Nicolas Mokhoff)





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - eBeam創始計畫將於近日公佈最新電子束...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首