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瑞薩推出整合電源轉換電路的SiC SBD功率裝置

上網時間: 2012年02月16日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:碳化矽  SiC  蕭特基阻障二極體  SBD  RJS6005TDPP 

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣佈開發採用低損耗碳化矽(SiC)的蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode;SBD) RJS6005TDPP ,一般認為碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力。新款 SiC 蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統,為其提供更佳電源效率

此新款裝置亦整合了由日立(Hitachi, Ltd.)與瑞薩電子共同研發的技術,相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置,可達降低約40%的低功耗表現。新款 RJS6005TDPP SiC SBD 具備15奈秒的逆向恢復時間(標準值:測量條件IF = 15 A,di/dt = 300 A/μs),相較於瑞薩電子採用矽材料的現有產品,速度約提升40%。另外,即使溫度上升,仍可維持理想的逆向恢復時間,因此可在高溫環境中維持一貫的低切換損耗。

新款 SiC SBD 具備僅1.5伏特(V)的額定電壓(順向電壓,VF),低於現有矽快速觸發二極體產品。另外,此特性的溫度依存度較低,在高溫環境下仍可確保獲得穩定的順向電壓。這表示可採用尺寸更小的散熱方式。

新款 RJS6005TDPP SiC SBD 採用等同於業界標準完全塑模的TO-220封裝,而且腳位也是相容的。這表示可使用RJS6005TDPP SiC SBD替代現有印刷線路板上的傳統矽二極體。

瑞薩電子的系列產品涵蓋3安培(A)到30 A,電壓耐受度600 V,功率裝置的設計符合高輸出系統對於更佳能源效率的需求,例如空調、通訊基地台及太陽能發電陣列,並計劃推出電壓耐受度1,200 V的系列產品。

瑞薩電子的目標是為客戶提供結合 MCU 及類比與功率裝置的整體解決方案,並成為功率裝置的領導供應商。瑞薩計劃以新款高電壓 SiC SBD 功率裝置做為核心,輔以週邊電源供應控制IC、高效能 IGBT 、高電壓超接面 MOSFET 及光耦合器等,擴增其套裝解決方案及化合物半導體裝置產品線。

RJS6005TDPP SiC SBD 已開始供應樣品,預定2012年3月起開始量產,並預估至2012年8月達到每月10萬顆的產能。





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