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等Ivy Bridge? 先拆一點給你看!

上網時間: 2012年04月13日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  Ivy Bridge  拆解分析  UBM TechInsights  22奈米 

研究機構 UBM TechInsights 已著手進行英特爾(Intel)最新一代處理器 Ivy Bridge拆解分析;該款晶片是英特爾首款採用22奈米製程以及3D電晶體技術的產品,尚未正式上市。有一些網路媒體猜測,英特爾可能最快會在4月29日發表該款產品,也有傳言指出,該晶片的上市時程可能會延遲至7月。

一位英特爾發言人表示,Ivy Bridge 處理器「很快」就會正式發表,他補充:「我們從去年底開始就已經進行該晶片的生產。」他的意思應該是指該晶片樣本,而UBM TechInsights已經取得了一顆在馬來西亞封裝,標記為3.3GHz Core i5-3550的Ivy Bridge處理器晶片,其裸晶面積尺寸為170mm2,小於目前Sandy Bridge i7 2600K處理器的208mm2

在初步測試中,UBM TechInsights發現該處理器晶片內含閘極間距(gate pitch)為90奈米的嵌入式SRAM陣列,還發現閘極長度為22奈米的邏輯區塊。半導體產業界大多認為,下一個重要製程節點是28奈米;包括Altera與Xilinx都已經推出28奈米製程FPGA,AMD與高通(Qualcomm)也正在委託GlobalFoundries 、台積電(TSMC)等晶圓代工廠生產28奈米晶片。

英特爾的獨特22奈米製程技術是採用了又稱為FinFET的3D電晶體,該種技術號稱可降低漏電──這也是目前尖端製程晶片最大的問題。其他晶片廠商也表示,他們將在次20奈米製程採用類似的技術。

UBM TechInsights將於5月分兩階段公布對Ivy Bridge晶片的拆解報告,第一階段將包含詳細的邏輯架構分析,包括該晶片的製程技術、嵌入式記憶體、邏輯閘與I/O電晶體,並有高解析度的晶片內部影像;第二階段的報告則將分析該款處理器的電晶體特性,包括其NMOS、PMOS電晶體的DC電氣特性分析、閘極資料與通道洩漏電流。

此外該報告還將顯示在三個溫度階層的處理器性能測試結果;分析師將採用掃描與穿隧式電子顯微鏡、展佈電阻輪廓量測(Spreading Resistance Profiling)以及X光等技術。以下先披露報告中的幾張精彩圖片:

UBM TechInsights所拍攝的Ivy Bridge晶片內部圖片I
圖為Ivy Bridge的穿隧式電子顯微鏡斷面圖,可看到內部的3D電晶體

UBM TechInsights所拍攝的Ivy Bridge晶片內部圖片II

UBM TechInsights所拍攝的Ivy Bridge晶片內部圖片III
較上方的圖片是Ivy Bridge的裸晶,下方則是Sandy Bridge i7 2600K

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Analysts start Intel Ivy Bridge CPU teardown,by Rick Merritt)





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