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功率技術/新能源  

IR推出TSOP-6封裝的HEXFET MOSFET

上網時間: 2012年05月03日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:TSOP-6  HEXFET  MOSFET  逆變器  導通電阻 

國際整流器公司 (International Rectifier) 推出一系列採用TSOP-6封裝、配備IR最新低壓 HEXFET MOSFET 的元件,適用於電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。

全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻 (RDS(on)),能夠大幅減低傳導損耗。新產品可以作為N-及P-通道配置裡的20V或30V元件,最高閘極驅動可由12Vgs到20Vgs。

IR表示,採用 TSOP-6 封裝的全新功率MOSFET系列,能與採用SOT-23和 SO-8封裝的現有元件相輔相成,使客戶可以更靈活設計系統。這個平台擁有極低的 RDS(on),讓新元件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET,有助減少電路板面積及系統成本。

所有新元件均屬於第一級濕度敏感度標準 (MSL1) ,並且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS),不含鉛、溴化物和鹵素。





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