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功率技術/新能源  

快捷30V PowerTrench MOSFET節省66% PCB空間

上網時間: 2012年05月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:PowerTrench  FDMC8010  功率密度  傳導損耗  負載點 

在能源效率標準和終端系統要求的推動之下,電源設計人員需要有助縮減應用之電源的外形尺寸,而且不影響功率密度的高效率解決方案。針對這些需求,快捷半導體(Fairchild Semiconductor)開發出全新 FDMC8010 30V Power 33 MOSFET ,採用3.3mm x 3.3mm PQFN封裝,可提供更好的功率密度和低傳導損耗。

FDMC8010採用快捷半導體的PowerTrench 技術,非常適合要求在小空間內提供最低RDS(ON) 的應用,包括高性能DC-DC降壓轉換器、負載點(POL)、高效率負載開關和低端切換、穩壓器模組(VRM)及ORing功能。設計人員使用FDMC8010元件,能夠將封裝尺寸從5mm x 6mm減小到3.3mm x 3.3mm,節省66%的MOSFET占位面積。

在隔離型1/16th brick DC-DC轉換器應用中,Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ,比具有同等占位面積的競爭解決方案小25%。此外,該元件降低傳導損耗,從而提高散熱效率多達25%。

FDMC8010的RDS(ON)最大僅為1.3 mΩ,採用無鉛RoHS封裝。新的PowerTrench MOSFET元件擴充了快捷半導體中等電壓範圍MOSFET產品的陣容,新元件是該公司PowerTrench MOSFET產品系列的一部分,這些元件能夠滿足電子產品的電氣和散熱性能要求,並提高能源效率。





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