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RFMD發表最新rGaN-HV製程技術

上網時間: 2012年05月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:氮化鎵  GaN  製程  電源轉換  功率元件 

RF Micro Devices, Inc.(RFMD)日前宣佈,擴展該公司的氮化鎵(GaN)製程技術產品,以包括針對電源轉換應用之高壓功率元件而最佳化的新技術。 RFMD 表示,其最新氮化鎵製程技術 rGaN-HV 能在1~50KW的功率轉換應用中大量節省系統成本和能源。

RFMD的 rGaN-HV 可為元件提供高達900V的擊穿電壓、峰值電流能力,以及針對氮化鎵電源開關和二極體超快速的開關時間。新技術補足了 RFMD的GaN 1製程,其特別針對高功率RF應用而最佳化,並提供超過400V的高擊穿電壓,而RFMD的GaN 2製程針對高線性度應用而最佳化,並提供超過300V的高擊穿電壓。

RFMD將於其位於北卡羅萊納州Greensbor的晶圓製造廠為客戶製造分離式功率元件,並針對晶圓代工客戶提供rGaN-HV以用於其客製功率元件解決方案。

RFMD總裁暨執行長Bob Bruggeworth表示,全球對於透過提升能源轉換效率來達到節約能源的需求,為基於RFMD GaN功率製程技術之高效能功率元件提供了巨大的機會。我們預期,最新的 GaN 功率製程將有助於拓展高壓電源半導體市場商機。





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