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功率技術/新能源  

適用LTE的GaAs SP3T開關與3V/5V正邏輯相容

上網時間: 2012年05月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:GaAs  SP3T  RFSW6131  單極三擲  LTE 

RF Micro Devices (RFMD) 日前推出編號為 RFSW6131 的GaAs pHEMT 單極三擲 (SP3T) 對稱開關,該元件是專為蜂巢式, 3G, LTE 和其他高效能通訊系統所設計,其所提供的對稱式架構具備絕佳的線性度及功率處理能力,並為 3V 與 5V 正邏輯相容。

RFSW6131的主要特性包括:LF 至 6000MHz 操作;低漏失── 0.5dB (2GHz);隔離為 27dB (2GHz);高IP3 (56dBm);P0.1dB: 31dBm (5V, 2.2GHz);採用DFN封裝,尺寸為 1.5mm x 1.5mm 。

主要應用包括:蜂巢式、 3G, LTE 基礎設施、 WiBro, WiMAX, LTE 、無線回程網路、高效能通訊系統、GMSK, QPSK, DQPSK, QAM 調變,現已量產供貨。





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