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光電/顯示技術  

聯電與新加坡合作開發新一代CMOS影像感測器TSV技術

上網時間: 2012年06月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:聯電  新加坡  CMOS影像感測器  TSV  背面照度 

聯華電子(UMC,以下簡稱聯電)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research,A*Star)旗下之微電子研究院(Institute of Microelectronics,IME)日前共同宣佈,雙方已協議合作進行應用於背面照度式 CMOS影像感測器之 TSV 技術開發。

未來舉凡智慧型手機、數位相機與個人平板電腦等行動電子產品,所採用之數百萬像素影像感測器,都將可藉由該項技術大幅提升產品效能,降低成本並且減少體積。此項合作專案將利用IME 在12吋 TSV 生產線之晶圓薄化、接合、重佈與凸塊的尖端實力,開發與CMOS影像感測器元件相結合的TSV製程。

聯電表示,市場上對於持續縮小像素,同時又能兼顧效能的需求日益攀升,因而帶動了 CMOS影像感測技術的興起;而背面照度式技術則普遍被視為可讓微縮至微米級大小的像素,仍保有優異效能的技術解決方案。此次專案目標在於提高像素更微縮的影像感測器之靈敏度,以便支援更高效能的應用產品,包括新世代高解析度的數位單眼像機與數位錄影機。





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