Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

Globalfoundries:20nm後我們以技術取勝

上網時間: 2012年06月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:金屬閘極  FinFET  平面製程  EUV  TSV 

“當談到FinFET時,它必用在行動處理器上,我們才能真正感受到它的優勢,”Globalfoundries技術長辦公室先進技術架構主管Subramani Kengeri稍早前台北國際電腦展(Computex)期間的媒體活動上表示。他也指出,在次20nm及以下節點時,他們在High-k/金屬閘極上的經驗,以及掌握的FinFET專利,將能在行動市場贏得更多優勢。

“High-k/金屬閘極已經很複雜了,但FinFET更加複雜,”Kengeri說。以一顆20奈米晶片為例,FinFET在超低壓時表現仍然很好,但在平面製程,功耗表現非常差。所以,“若稍微提升電壓,效能會更好,但這在平面製程上是做不到的。”

至今,我們仍聽到28nm有許多問題無法解決,Kengeri說。

Kengeri指出,未來在晶圓代工領域,推動成長的關鍵在於行動裝置所需要的技術,包括長電池壽命,多功能整合,以及低成本。“當結合這些優勢,我們就能繼續專注在行動市場。我們已經為行動產業中最重要的處理器和繪圖單元定義了最佳化技術,這就是我們為客戶做的,我們通常與客戶花費一年半到兩年的時間來合作開發,並確保能長期穩定供貨。”

他接著指出,High-k/金屬閘極是非常挑戰性的技術,很不容易用在製程上,但Globalfoundries已經克服了很多晶圓廠正在面臨的問題。如稍早前AMD發表的新系列APU,就是使用該公司的high-K/金屬閘極技術。

Globalfoundries從32奈米開始使用high-k/金屬閘極技術,據Kengeri表示,到28奈米時,已經有90幾款設計開始出貨了。

而在28nm以後,Kengeri表示,Globalfoundries的20nm策略仍舊是針對行動應用最佳化,而且會開始使用第三代HIGH-K金屬閘極技術。


Globalfoundries在20nm以下節點的技術策略。

而在14nm及以下製程,Kengeri提出了四個關鍵技術:FinFET、超紫外光(EUV)微影技術、450mm晶圓,以及矽穿孔(TSV)技術。

FinFET是達到省電,節能和低電壓的關鍵;而EUV則是實現先進製程節點量產的問鍵。但Kengeri強調,今天的EUV離量產規模還很遠。“至少EUV要達到每小時100片晶圓的吞吐量才行。目前仍不得而知會在14或10奈米開始使用,因為目前使用EUV的成本非常高昂,而且吞吐量大約只在每小時5片左右。”

Kengeri特別強調了該公司未來在FinFET方面的優勢。“如果你去檢視FinFET的業界專利,你會發現,有76%的專利,是掌握在GF,IBM和三星的聯盟平台手中,其他對手僅佔24%。”

而當被問及20nm以後製程會採用gate-first或是gate-last時,他僅透露:“14nm我們已經知道要用gate-first或是last了,只是現在還沒公佈。我們的客戶並不在乎用的是哪一種技術,重點只在能不能量產而已。”

Kengeri承認EUV的一再延宕確實為晶片產業的進展帶來影響。他表示,該公司也同時關注光學193nm以及定向自組裝(DSA)等技術,而且也將為目前使用光學技術的客戶們提供未來順利過渡到EUV的升級途徑,以進一步協助客戶降低成本。

2012第一季,Globalfoundries有83%的營收來自美國。這是該公司目前仍將生產重心放在北美的主因。預估到2013年,該公司全球總產能可達每月二十萬片規模。 (Joy Teng)


Globalfoundries技術長辦公室先進技術架構主管Subramani Kengeri





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - Globalfoundries:20nm後我們以技術取...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首