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拚FinFET 聯電可能搶先台積電

上網時間: 2012年07月31日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:晶圓  UMC  TSMC  FinFET  製程 

晶圓代工領域一直居於台積電(TSMC)之後的聯電(UMC),可望藉由率先採用 FinFET 製程技術,領先其競爭對手一步。

儘管十年前,台積電是最初發起 FinFET 構想的主要企業之一。但依照聯電與 IBM 簽署的授權協議,最快在2014年下半年便可採用 20nm FinFET 量產,這要比台積電最新披露的時程提早一年。。

聯電取得的 FinFET 授權是在矽晶圓上製造,而不是在絕緣層上覆矽(SOI)晶圓上,據一位發言人表示。這將使聯電能更快地引進技術,並使用運行20nm 塊狀 CMOS製程來量產。若能確保鰭已經具備良好的矩形截面定義,就能更顯著地展現出性能的差異化,同時,未來在SOI晶圓上生產FinFET時也能進一步改善漏電流性能。

在聯電第二季法說會中,當被問到聯電準備在2014年推出20nm FinFET時,聯電CEO孫世偉並沒有反駁。

他接著表示,聯電的首次FinFET元件將以和20nm平面CMOS相同的20nm後段製程為基礎。他表示,許多公司都採取相同做法,但有些人將之定義為16或14nm製程。他進一步指出,這實際上只是行銷手法罷了。

台積電最近表示,其首個 FinFET 製程將會搭配16nm節點,而且可能會在2015年下半年量產。不過,台積電也會在20nm後段製程中使用 FinFET ,因此,該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數。

編譯: Joy Teng

(參考原文: UMC set to beat TSMC to FinFET process ,by Peter Clarke)





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