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快捷P通道PowerTrench MOSFET添新成員

上網時間: 2012年08月20日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:快捷半導體  P通道  PowerTrench  FDMA910PZ  FDME910PZT 

為了幫助手機及其他可攜式應用設計人員改善電池充電和負載開關,快捷半導體(Fairchild Semiconductor)擴大其 P通道 PowerTrench MOSFET 產品線,新推出 FDMA910PZ 和 FDME910PZT 兩款元件。

新元件具備 MicroFET MOSFET 封裝,並提供以其尺寸大小(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm)而言,卓越的散熱性能,使其適合開關和線性模式應用。在 20V 額定電壓下,這些元件提供低導通阻抗。為預防靜電放電 (ESD) 失敗,FDMA910PZ 和 FDME910PZT 並裝有優化穩壓二極體保護裝置,這亦令最大額定 IGSS 洩漏電流從 10μA 降至 1μA。

FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻,並為 RoHS 相容。 兩種裝置均提供低電壓安全運作,並適用於手機和可攜式裝置。





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