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聯電與ST合推65奈米CMOS影像感測器BSI技術

上網時間: 2012年09月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:聯電  ST  65奈米  CMOS影像感測器  BSI 

晶圓代工大廠聯華電子(UMC,以下簡稱聯電)日前宣佈,與意法半導體(ST)合作 65奈米 CMOS影像感測器背面照度(BSI)技術。雙方先前已順利於聯電新加坡Fab 12i廠產出意法半導體的前面照度式(FSI)製程,奠基於之前的成功經驗,此次合作將更進一步擴展兩家公司的夥伴關係。

此1.1um像素間距的BSI製程,將於聯電新加坡Fab 12i廠展開研發,並將以開放式平台模式供客戶採用,以協助客戶迎接高解析度與高畫質(千萬像素以上)尖端智慧手機世代的來臨。聯電負責 12吋廠營運的副總顏博文表示:「我們很高興與意法半導體攜手研發此次的專案,擴展與這位長期夥伴的合作關係。此次協議貫徹了聯華電子開放式平台的合作策略,以提供客戶導向晶圓專工解決方案,來因應日益攀升的市場需求。聯華電子期待藉著增加此CIS BSI製程,在未來更進一步地強化我們全方位的技術組合。」

聯華電子在CIS領域的優異實力,包含現有的 8吋與 12吋CIS製造解決方案,以滿足多元化的市場需求。此次新開發的65奈米CIS技術,將具有BSI製程足以因應長期需求的優勢,除了可用於現今應用產品之外,預期未來也可應用於車用電子與工業領域。65奈米BSI製程係針對快速興起的應用產品所推出,諸如智慧型手機、平板電腦、高階監視器、以及消費型數位相機/數位單眼相機等,都將可在取得意法半導體的授權後採用。





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