Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

台灣著手將28nm ReRAM嵌入邏輯製程

上網時間: 2012年10月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:28nm  ReRAM  TSMC  CRRAM  光罩 

將電阻式RAM (ReRAM)嵌入主流邏輯製程技術中,可能會為系統單晶片(SoC)的設計帶來重大影響,台積電(TSMC)也密切注意此一新興趨勢。

一份即將在12月舉辦的2012年國際電子元件會議(2012 International Electron Devices Meeting)論文清單中,列出了由國立清華大學的研究團隊和台積電共同撰寫的文件。

該論文名為《在純CMOS邏輯製造中的High-K金屬閘極接觸式RRAM (CRRAM) 》(High-K metal gate contact RRAM (CRRAM) in pure 28-nm CMOS logic process),指出已經在HKMG 28nm CMOS邏輯製程中實現了CRRAM單元,無須使用任何額外的光罩或製程步驟。他們使用了35nm x 35nm的接觸過孔來製作。

據論文介紹,已成功展示與驗證一完全相容於90nm互補式金氧半(CMOS)邏輯製程技術下之新穎的接觸電阻式記憶體(CR-RAM),這元件的記憶端點是將TiN/TiON/SiO2材料堆疊於鎢接觸點(W contact)與N+矽之間以實現之。此外,它呈現了絕佳的元件特性例如:快速編程、製程簡單、免疫於重複寫入之影響、具非揮發性等,且資料保存力於150℃的測試溫度下更是超越了1,000小時以上。

與其他類型的ReRAM陣列和常規邏輯製程相比,這種設計更加緊湊。2010年,該小組便曾在90nm CMOS邏輯製程開發出1T-plus-1R ReRAM,並聲稱具有100萬次的讀-寫週期耐力。

編譯: Joy Teng

(參考原文: Taiwan embeds ReRAM in 28-nm logic process,by Peter Clarke)





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 台灣著手將28nm ReRAM嵌入邏輯製程
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首