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新雷射尖峰退火技術提高微影品質

上網時間: 2012年10月03日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Laser-spike annealing  LSA  微影  超紫外光  EUV 

美國康乃爾大學(Cornell University)的研究人員開發了一種全新的退火技術,可望縮短半導體微影的製程時間並強化影像品質。

康乃爾大學研究人員是在半導體研究協會(Semiconductor Research Corp.)支持下開發雷射尖峰退火(Laser-spike annealing, LSA)技術,已經過193nm浸入式微影和13nm超紫外光(EUV)測試。目前,包括IBM、德州儀器(TI)、英特爾(Intel)、超微(AMD)、飛思卡爾(Freescale)和Globalfoundries等SRC的會員公司們都在考慮採用該技術。

“這種新的雷射技術為熱處理帶來了全新的突破,”康乃爾大學教授Christopher Ober說。“在晶圓廠中實現更快速、更高傳真度的圖案轉印,就意味著更好的晶片性能和更低的成本。”

今天,薄的光阻薄膜是透過對整個晶圓加熱一分鐘或更多使用熱板來退火。 LSA能在毫秒級時間內發出同樣的脈衝雷射束,進而大幅節省時間。研究人員所做的測試還透露,藉由烘烤方法的擴散會導致線粗糙度下降,從而獲得更高傳真度的微影圖案影像品質。


由SRC資助、康乃爾大學開發的雷射尖峰退火系統使用了連續波雷射聚焦到線上,並在矽基板上掃描,能在以毫秒級時間達到熔化溫度,從而產生更高傳真度的電路圖案,而且比當前製程中的加熱板烘烤更方法更加快速。 (資料來源:SRC /康乃爾)

傳統的烘烤溫度均在華氏300度以內,以減少擴散。然而,基於雷射的退火技術可達到在毫秒內達到華氏1,450度的高溫,進而大幅提高光阻靈敏度,同時最小化圖案粗糙度,康乃爾大學博士候選人Byungki Jung Ober說。

“下一步,我們預計改進的光阻,可進一步利用這種新技術的優勢,”SRC的奈米製造科學總監Bob Havemann說。

編譯: Joy Teng

(參考原文: Laser-spike annealing could boost litho ,by R. Colin Johnson)





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