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富士通推出2.7V-5.5V大範圍工作電壓FRAM

上網時間: 2012年10月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FRAM  MB85RC256V  儲存  ROM  RAM 

富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)推出非揮發性鐵電隨機存取記憶體(FRAM)的新款V系列晶片── MB85RC256V 。這是首款可在2.7V-5.5V電壓範圍內運作的 FRAM 產品,有利於需要大範圍工作電壓零組件之設計。

隨著新元件的問世,富士通目前的V系列FRAM產品已涵蓋4KB、16KB、64KB、256KB容量。該公司表示,FRAM產品結合了ROM的非揮發性資料儲存功能和RAM的優點,可提供1012次的讀寫、高速讀寫週期和低功耗等特點。此外,FRAM產品系統支援多種介面和容量,包括工業標準的串列和並列介面。

目前FRAM產品已廣泛採用於測量、工業控制、汽車電子、金融業銷售點管理系統等高階應用領域;FRAM支援高速讀寫、高耐久性、低功耗等特性,對這些領域而言非常重要。

MB85RC256V操作溫度介於-40℃至85℃,採用32kx 8位元配置,儲存容量256KB ,提供1012次的讀寫次數,資料可保持十年(+85°C)。作業電壓範圍介於2.7V-5.5V之間,提供外部序列介面I2C,在4.5V-5.5V電壓範圍內運作頻率可高達1MHz;在2.7V-4.5V電壓範圍內運作頻率高達400KHz,現提供3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝。





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