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功率技術/新能源  

Microsemi提供新一代工業溫度SiC標準功率模組

上網時間: 2013年01月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:碳化矽  功率模組  SiC  美高森美  Microsemi 

美高森美(Microsemi)宣佈提供新一代工業溫度碳化矽(silicon carbide,SiC)標準功率模組,它們是用於要求高性能和高可靠性的高功率開關電源、馬達驅動器、不斷電供應系統、太陽能逆變器、石油鑽探和其它高功率、高電壓工業應用的理想選擇。

該功率模組系列還提供更大的溫度範圍,以滿足下一代功率轉換系統對更高功率密度、工作頻率和效率的要求。與矽材料相比,SiC技術提供了更高崩潰電場強度和更佳熱傳導率,從而為參數實現性能特性改進,包括零逆向恢復、不受溫度影響的特性、更高工作電壓和更高工作溫度,以提供全新的性能、效率和可靠性水準。

美高森美新的工業溫度SiC功率模組具有多種電路拓撲,並且整合在低側高封裝內。新模組產品系列中的大多數產品使用氮化鋁(aluminum nitride,AIN)基底,以提供與散熱器的隔離,從而改善到散熱系統的熱傳遞。其他的額外功能包括高速開關、低開關損耗、低輸入電容、低驅動要求、低側高和最小寄生電感,能夠實現高頻率、高性能、高密度和節能的電力系統。

新工業溫度模組系列包括以下參數和元件:1200V升壓斬波電路(boost chopper),額定電流為50至100A (元件編號:APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2);1200V相臂(phase leg)架構,額定電流為40至200A (元件編號:APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG)。

以及:600V中性點箝位架構,專用於太陽能或UPS應用的三級逆變器,額定電流為20至160A (元件編號:APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG);中性點箝位架構,600V/1200V混合電壓,額定電流為20至50A (元件編號:APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G)

美高森美的SiC產品組合包括離散和模組封裝的蕭特基二極體,以及提供標準和客製化配置、採用SiC肖特基二極體和IGBT或MOSFET電晶體組合的功率模組。美高森美以短交貨週期提供工業溫度SiC標準功率模組樣品。





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