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Globalfoundries 55nm LPe製程適合低電壓應用

上網時間: 2013年03月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:55奈米  低功率強化  LPe  製程  記憶體 

Globalfoundries宣佈將公司的55奈米(nm)低功率強化(LPe)製程技術平台持續向上提升,推出具備 ARM 新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 IP 資料庫的先進製程節點,可讓晶片設計人員使用單一製程,在單一系統單晶片(SoC)下支援兩種作業電壓。

Globalfoundries產品行銷部副總裁 Bruce Kleinman 表示:「這款 55nm LPe 1V 產品最主要的優點是,無論是要設計 1.0V 或 1.2V 的電源選項,都能使用相同的設計資料庫。也就是說,只需要採用同一套的設計規則和模式,無需額外的光罩層或特殊製程。如此不只可降低成本,提高設計彈性,更能維持一致的電源和最佳化功能。」

Globalfoundries 的 55nm LPe 1V 採用 ARM 1.0V/1.2V與記憶體編譯器,方便設計人員將速度、電源及/或面積等設計最佳化,尤其對在系統單晶片解決方案的設計上受到電力限制的設計人員來說更為有利。

Globalfoundries 的先進 55nm LPe 製程,為結合 ARM 所提供完整經過矽晶片驗證的 8-track、9-track 和 12-track 資料庫平台,加上高速和高密度的記憶體編譯器。

ARM 實體 IP 部門行銷副總 John Heinlein 表示:「1V 和 1.2V 作業的整合,加上支援級的位移邏輯,將是低功率、高效能和小晶片面積的最佳組合。雙電壓域特性支援,搭配 Artisan 新一代記憶體編譯器架構,相較於前一代解決方案,能減少 35% 以上的動態及漏電功率。」

55nm LPe 1V 尤其適用於大量、採電池供電的行動消費性裝置,還有各種環保或節能產品。產品開發套件和電子設計自動化工具現已供應,同時也提供晶圓共乘(MPW Shuttle)。

Artisan 記憶體提供彈性的製程選項,全球出貨量高達數十億組。延續 Artisan 65nm 至 20nm 實體 IP 平台的多樣化系列,這些新一代記憶體內含低電壓和待機模式,能夠延長電池壽命,提供可將處理器速度提升至最高的超高速快取記憶體,同時也採用專利設計技術,縮小低成本系統單晶片的設計面積。





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