Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

SanDisk將在3D ReRAM生產導入EUV技術

上網時間: 2013年04月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:3D  ReRAM  EUV  NAND  BiCS 

根據SanDisk公司,記憶體製造商預計要到開始製造 3D 可變電阻式記憶體(ReRAM) 之後,才會將超紫外光(EUV)微影技術導入記憶體製造,而這一時間點至少是在2015年之後。

這是SanDisk公司行政執行副總裁兼財務長Judy Bruner日前在摩根士丹利(Morgan-Stanley)金融會議上針對一項提問的回覆。她受邀在該會議上發表SanDisk未來的記憶體架構轉型發展計劃。

由於SanDisk公司未來將採用垂直堆疊記憶體結構,但是否能免於受到延遲已久的 EUV 微影技術影響呢?Bruner說:「未來我們終究會使用到 EUV 技術,但首先面對的 3D NAND 或位元可變成本(BiCS)架構並不需要用到 EUV 。因此,在平面 NAND 之後,我們會先以 BiCS 作為過渡技術。」

Bruner接著表示,在邁向 3D NAND 結構以前,至少還將經歷兩次10nm以上的平面 NAND 製程節點。 1Y-nm節點 NAND (18-15nm)將在2013年下半年開始量產,接著1Z-nm節點 NAND (14-10nm)可望在2014年底至2015年時展開。而在那之後才會開始 3D NAND 的記憶體生產。

「我們預計將會過渡到 3D NAND 或 BiCS 結構,但並不需要因此而採用 EUV 。然而到了 3D ReRAM 時,則存在對於正開發中 EUV 的需求。所以真正會需要用到 EUV 進行生產,應該還有幾年的時間,」Bruner並強調,這一時間點至少要到2015年以後。

編譯:Susan Hong

(參考原文:SanDisk sees no EUV until ReRAM replaces flash,by Peter Clarke)





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - SanDisk將在3D ReRAM生產導入EUV技術
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首