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GT與Soitec共同開發HVPE系統

上網時間: 2013年04月22日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:氮化鎵  GaN  HVPE  LED  照明 

極特先進科技公司(GT Advanced Technologies;GTAT)與Soitec宣佈一項開發及授權合約,根據該協議,GT將與Soitec共同開發和商品化用於生產低成本氮化鎵(GaN)模板基板的大容量多晶圓「高效氫化物氣相磊晶」(HVPE)系統。這套 HVPE 系統預期可降低 LED 生產成本並加速在商業和住宅照明領域中的應用。

這套HVPE系統將用於生產 LED 或其他高成長產業(例如電力電子業)所用基板的優質 GaN 磊晶薄膜。與傳統的有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)製程相較, HVPE 系統可能帶來更高的成長率並改進材料特性,可望顯著降低製程成本,同時提高設備性能。協議中規定的專利技術授權費的首期預付款已經開始支付,但是具體條款尚未對外揭露。

Soitec旗下子公司Soitec Phoenix Labs擁有獨家 HVPE 專利技術,包括可望降低輸送至HVPE反應器的前驅體成本的新穎且先進的來源輸送系統。GT公司將利用上述 HVPE 專利技術來開發、生產和商品化 HVPE 系統。這套 HVPE 系統可實現 GaN 模板藍寶石基板的規模化生產。 HVPE 系統預計將於2014年下半年上市。

Soitec Phoenix Labs副總裁兼總經理Chantal Arena表示:「我們已在 GaN 磊晶製程開發方面傾注六年多的時間,並且在 HVPE 技術方面也已取得了關鍵性突破。這項技術對生產高品質、低成本的藍寶石基板的 GaN 薄膜相當重要。」該公司並表示與GT共同宣佈這項開發和授權合約旨在將 HVPE 技術整合進其藍寶石中,使Soitec能夠針對差異化的技術和產業合作夥伴提供材料與設備等各種 LED 照明系統。

GT 總裁兼執行長Tom Gutierrez表示,GT致力於提供改變產業(如太陽能 PV 和 LED )的創新設備,隨著不斷拓展新的高價值技術以擴大業務範圍和向市場提供成功的解決方案,GT與Soitec簽訂協議,期望透過 Soitec Phoenix Labs 在 GaN 製程的專長提供先進技術與經驗,讓新上市的 HVPE 系統能夠進一步降低 LED 設備成本,從而有助於推動產業形成更強的競爭力。





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