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宜普新版開發板內含eGaN FET與閘極驅動器

上網時間: 2013年05月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:eGAN  FET  EPC9005  閘極驅動器  氮化鎵 

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出內含增強型氮化鎵(eGAN)場效電晶體(FET)的 EPC9005 開發板,展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而最佳化的IC閘極驅動器,可幫助工程師以低成本從矽元件轉而採用氮化鎵技術。

EPC9005 開發板是一款7A最大輸出電流的半橋電路設計,內含兩個 EPC2014 (40V)氮化鎵場效應電晶體,並採用TI專為氮化鎵元件最佳化的閘極驅動器(LM5113),這種已製作好及易於連接的開發板,並備有完善歸檔的技術支援資料,使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。

LM5113 採用2英吋x2英吋的BGA封裝,可實現非常緊密且配備驅動器及兩個氮化鎵場效應電晶體的電源電路。受益於 EPC2014 元件的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、無線充電及高頻電路。

推出這種開發板的目的是簡化評估氮化鎵場效應電晶體的過程,因為這種開發板是1塊2英吋x1.5英吋的單板,板上整合了所有關鍵元件,因此易於連接任何現有轉換器。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和運算效率。隨開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的速查指南。





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