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科銳碳化矽功率MOSFET為台達實現下一代PV轉換器

上網時間: 2013年05月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:太陽能  轉換器  PV  碳化矽  MOSFET 

科銳公司(Cree)與台達能源系統公司(Delta Energy Systems)共同宣佈成功達成太陽能轉換器(PV inverter)計劃,台達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設計。碳化矽功率 MOSFET的加入,使下一代的太陽能轉換器在功率密度、效率和重量上達到重要的新里程碑。

科銳於2011年發表碳化矽功率 MOSFET , 具有降低損耗和提高太陽能轉換器效率及功率密度的功效;而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET 將於2013年推出。在這項產品上市後,台達能源系統公司(台達電子集團的子公司)決定將科銳的 碳化矽功率 MOSFET 納入下一代太陽能轉換器的設計中。

在11kW太陽能轉換器中採納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET 後,台達已能擴大直流輸入電壓範圍,同時維持或甚至提升前一代產品的最高效率。台達預計在2013年第二季推出的11kW加速器,因為採用科銳的碳化矽功率 MOSFET ,其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

科銳電源資深行銷主管Scott Allen表示,包括像台達電子等從事先端技術的客戶採用科稅的碳化矽功率 MOSFET 技術,不僅能使太陽能轉換器在尺寸、重量和成本等方面比採用矽減少20%~50%,同時能保持或提升效率水準。

台達能源系統公司的太陽能轉換器研究與發展主管 Klaus Gremmelspacher表示,「透過利用碳化矽功率 MOSFET ,台達下一代太陽能轉換器在功率密度上達到新的里程碑。對我們在實現輕型且具備領先效率的新型高功率轉換器的目標來說,科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET 是不可或缺的。」

科銳提供的碳化矽功率 MOSFET封裝元件可經代理商DigiKey和Mouser購買,而晶粒則可從代理商SemiDice購得。





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