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快捷Quad-MOSFET方案提高主動橋式應用效率

上網時間: 2013年06月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  二極體  FDMQ86530L  Quad-MOSFET  影像感測 

美國快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出60 V Quad-MOSFETFDMQ86530L 在單一封裝中整合四個 60 V MOSFET,可提高系統效率,取代二極體橋電路,適用於緊密型設計及節省電路板空間。

在高畫質緊密型主動橋式應用中(如網路相機)產生過多熱量,可能引起影像畫質問題。 與之類似,熱雜訊也可能會影響系統的影像感測元件,進而降低相機的畫質。典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(thermal fluctuations),這使得本就複雜的設計變得更加複雜,並且使電路板空間變得更加混亂。

FDMQ86530L 解決方案由四個 60 V N 通道 MOSFET 組成,採用快捷半導體的 GreenBridge 技術,將功率損失性能提高了十倍,因而改善了傳統二極體電橋的傳導損失及效率。 該元件採用熱性能增強,節省空間的 4.5 x 5.0 mm MLP 12 接腳封裝,無需使用散熱器,實現了緊密型設計,並在 12 V 及 24 V AC 應用中可提高功率轉換效率。

FDMQ86530L 產品採用 4.5 x 5.0 mm MLP 12-接腳封裝。





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