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Alchimer與IMEC在22奈米以下先進製程進行合作

上網時間: 2013年06月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Alchimer  IMEC  奈米互連  聯合研發  濕沉積 

雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機電(MEMS)與太陽能等領域濕沉積技術的領先供應商Alchimer,宣佈與歐洲研究機構IMEC攜手進行一項合作研發計畫,為先進的奈米互連技術評估和實施銅(Cu) 填充解決方案。該計畫的重點將是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 產品系列,其已證明可在 7nm 節點裝置上實現無空隙填充,並允許在阻擋層上直接進行銅填充,且鑲嵌製程無需晶種層。

由於 CMOS規模增加,使製程更加精細,因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm),採用薄阻擋層,以及薄銅晶種層,或無銅晶種層。填充製程必須沒有任何缺陷/空隙,以滿足可靠性規範,並實現高良率。傳統的物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)製程不能達到這些要求。Alchimer的濕沉積技術建立在分子構建製程的基礎之上,突破了乾沉積製程的局限性。

Alchimer 的執行長 Bruno Morel 表示:「我們相信,隨著產業發展到更小的技術節點,效能和成本將推動技術的採用。eG 在先進鑲嵌應用領域的效能,包括 20nm 以下的單、雙鑲嵌,已經在效能及持有成本兩方面均展現出廣闊前景。與 IMEC合作讓我們能夠獲得巨大資源,藉此驗證我們在12吋晶圓製程的技術適宜性,並瞭解如何為 18吋晶圓製程做好準備。」

該合作研發計畫(JDP) 的目標是要獲得在 22nm 以下技術的12吋晶圓製程環境中,eG 濕沉積製程的可靠性資料及電氣效能。作為此項 JDP 的一部分,兩間公司將對電鍍化學法實施評估,並努力確定 12吋晶圓級先進鑲嵌電鍍應用的最佳製程條件。

eG 填充允許在阻擋層上進行直接銅填充,而不再需要晶種層。此外,該技術還被證明能夠在 7nm 節點裝置上實現無空隙填充,以改善良率及效能。總之,它對終端影響很小,且均勻性優異。Alchimer 高度可擴展的濕沉積技術是滿足先進鑲嵌結構市場需求的唯一解決方案,不僅如此,與傳統的乾沉積製程相比,該技術還能降低 25% 至 35% 的持有成本。

這是透過儘量減少使用昂貴的 PVD 與 CVD 製程實現的,因為該製程可以在僅需最少改裝的傳統設備上實施。造成較低覆層及穩定化學作用的超保形層可在使用前即期混合。





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