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聯電宣佈與IBM共同開發10奈米CMOS製程

上網時間: 2013年06月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:聯電  IBM  聯盟  10奈米  CMOS製程 

晶圓代工大廠聯電(UMC)日前與 IBM 共同宣佈,聯電將加入 IBM 技術開發聯盟,共同開發10奈米 CMOS製程技術。聯電與IBM兩家公司此次的協議,拓展了雙方於2012年簽訂之 14奈米 FinFET 合作協議。

擁有IBM的支援與know-how,聯電將可持續提升其內部自行研發的14奈米 FinFET 技術,針對行動運算與通訊產品,提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計畫開發 10奈米製程基礎技術,以滿足聯電客戶的需求。聯電將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發計畫,而聯電 14奈米FinFET與10奈米未來的製造,則將於該公司位在台灣南科的研發中心進行。

IBM半導體研發副總Gary Patton表示:「IBM聯盟成立至今已逾十年,聯盟夥伴可整合運用我們的專業知識,團隊研究合作與創新的技術研發,藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯華電子的加入,將使聯盟的實力更加強大。」

聯電執行長顏博文表示:「IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯華電子十分高興與IBM在先進製程領域攜手合作,貢獻我們多年來開發高競爭力製造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一,聯華電子肩負著適時推出尖端製程,以實現客戶次世代晶片設計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作,借重其深厚的技術專業來縮短我們10奈米與FinFET 的研發週期,為聯華電子與我們的客戶締造雙贏。」





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