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工研院慶40週年 發表金牌獎技術成果

上網時間: 2013年07月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:工研院  傑出研究獎  垂直式自旋磁性記憶體  40週年  半導體 

工研院(ITRI)在成立40週年前夕,發表工研院傑出研究獎與推廣服務獎共三項金牌技術。工研院院長徐爵民表示,今年獲獎技術分別是「3DIC三維晶片整合技術及推動」、「垂直式自旋磁性記憶體技術」及「超低電壓/超低功耗系統晶片設計技術」,分別在半導體與資訊科技領域上有突破性的重大發展,成功開發出更省能、更快速、體積小、效能高的技術產品,對於未來智慧生活應用具有跳躍性的助益。

工研院電光所所長劉軍廷表示,今年榮獲推廣服務獎金牌獎「3DIC三維晶片整合技術及推動」,自五年前開始投入初期不僅歷經2008年金融海嘯危機,更大膽逆勢擴大研發,奠定現今發展基礎。也因透過電光與資通跨領域合作,整合IC設計與製程階段,以蓋高樓的概念將IC晶片作樓層式堆疊設計,在電子產品朝向輕薄短小、高效能發展的趨勢下,創新研發出具備體積小、整合度高、耗電量低、成本低特性的立體堆疊晶片(3D IC)。

劉軍廷指出,該研發團隊在有限資源下,開發出「Backside Via-last」技術,將做完正面之IC製程之後,而從背面將晶圓磨薄之後進行背面的晶片穿孔製程,並連接至正面金屬佈線,解決晶圓正面進行晶片穿孔製程所可能產生的製程瓶頸,並減少製程成本,其3DIC載具頻寬效能因可達到業界標準的2.5倍,吸引英特爾(Intel)投入,利用3DIC技術共同開發新世代記憶體,建立3DIC產品及拓展應用市場。

此外,為推動相關技術應用,更成立「先進堆疊系統與應用研發聯盟(Ad-STAC)」以建立上中下游相關產業之合作關係,串連國際設備廠商、材料廠商及國內廠商,持續推動設備及材料國產化,讓台灣有機會與國際競爭,創造產業下一波競爭優勢。

記憶體產業目前雖面臨艱困挑戰,但記憶體是3C產品的關鍵技術之一,對台灣居大宗的ICT產業未來發展更重要,工研院IEK預估記憶體產業在歷經整併重組後,2015年供需進入較為穩定階段,業界將會開始大量投資新世代記憶體。劉軍廷表示,獲傑出研究金牌獎的「垂直式自旋磁性記憶體技術」成功解決「元件變小時容易導致記憶體失效」的技術瓶頸,具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點,是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一,將協助業界在2015年新世代記憶體新一輪競賽時有創新競爭利基。

這個記憶體研發團隊已成立10年,在投入 MRAM 記憶體研發過程中,歷經被質疑、整併等波折,該團隊以屢挫不敗的精神持續投入MRAM記憶體,不僅10年創造4次獲獎記錄,更以MRAM相關技術開發出磁性感測器,結合加速度計可以已達到陀螺儀相似功能,可應用在電子羅盤,手機導航、定位。

今年榮獲傑出研究金獎的「超低電壓/超低功耗系統晶片設計技術」,其超低電壓技術(Ultra-Low Voltage,簡稱ULV),成功的將電子裝置中晶片的功耗降到最低能耗,以有效延長產品用電時間,此技術並適用在多種製程及操作情境。搭配熱電能源擷取技術,可追蹤最佳用電效率功率,以突破熱電轉換限制,達到常溫下即可發電。若將超低電壓相關技術導入智慧型手持裝置或安全監控設備,能大幅改善功耗管理問題,完成自給自足小型系統運作;未來若與國內廠商進行進一步產品垂直鏈整合,預計可為IC產業創造無限商機!





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