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SSEC晶圓蝕刻製程平台專用多路徑回收排放管路

上網時間: 2013年09月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SSEC  WaferEtch  多路徑回收排放管路  半導體  晶圓 

先進封裝與半導體元件、高亮度發光二極體與硬碟製造之單晶圓溼製程系統大廠美國固態半導體設備(Solid State Equipment LLC,DBA SSEC) 發表專為 WaferEtch 平台設計的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專屬的排放管路設計能在相同的反應室內收集、再循環、並隔絕多種化學品,且幾乎不會造成化學品的交叉污染,而且能夠形成獨特的化學品排放路徑,並維持SSEC出色的化學品儲存值。此外,即時冷卻功能可對現今微細特徵蝕刻應用提供更佳的製程控制。

形成微細特徵需要蝕刻製程(例如凸塊底層金屬 [UBM]),而其中蝕刻製程涉及多個金屬層,並指定使用不相容的化學品,而這些化學品不得接觸排放管路內相同的浸濕區域。SSEC的執行長Herman Itzkowitz解釋:「過去在單晶圓溼製程機台上容納兩至三種化學品時,要利用收集器下方的導流閥才能完成,而只要化學品在短時間內使用相同路徑時,導流閥足以擔負這項工作。一般來說,採用這種方法造成交叉污染的機率會小於1%。」現在,全新的排放管路設計採取多重收集法,減少煙霧且幾乎能完全排除交叉污染,因而能夠在相同的反應室內蝕刻多個金屬物。

除了可個別地密封多個排放管路開口以避免交叉污染外,本機台的晶圓卡盤能在多路徑回收的過程中保持固定,形成恆定的冷卻特性,以便在必要時終止蝕刻製程,改善製程控制。此創新設計使SSEC出色的化學品儲存值可達到99.5%的化學品收集。高回收百分比加上降低交叉污染不但延長電解槽的使用壽命,也降低整體的購置成本。多路徑回收排放管路目前已是WaferEtch平台的標準配備,而且也能在業內現有之3300系列機台上進行改裝。





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