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ST和Memoir攜手整合記憶體與半導體製程技術

上網時間: 2013年12月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:演算法記憶體  FD-SOI  ASIC  製程 

意法半導體(STMicroelectronics,ST)宣佈與Memoir Systems的合作專案開發出具突破性的演算法記憶體技術(Algorithmic Memory Technology)。新技術將用於製造採用完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術的ASIC和SoC內部記憶體。

當整合在採用 FD-SOI 製程的產品時, FD-SOI 的功耗和性能優勢[使Memoir Systems的演算法記憶體不會損失任何性能。此外,整合了 FD-SOI 的極低軟性錯誤率(SER)和超低漏電流的優勢為包括網路、交通、醫療和航空等特定關鍵應用帶來獨特的價值主張。

意法半導體設計支援服務執行副總裁Philippe Magarshack表示:「與採用其它製程的元件相較,單獨使用 FD-SOI 製程的 ASICSoC 擁有更快的速度及更強的散熱性能。在增加了Memoir Systems的智慧財產權後, FD-SOI 產品變得更加誘人,並使程式碼移植變得更簡單。」

Memoir Systems共同創辦人暨執行長Sundar Iyer表示:「我們致力於突破性記憶體技術的開發以及更短設計週期和極高性能的實現,整合約等級中最好的演算法記憶體技術與 FD-SOI 平台對我們的客戶具有重要意義。程式碼移植的簡易性結合我們有目共睹的優異性能,證實了 FD-SOI 可帶來更快的速度、更強的散熱性能及更簡單的設計。」

意法半導體率先推出完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)製程技術,擴大現有平面基板半導體製程的應用範圍,並簡化了晶片設計。 FD-SOI 電晶體提高了靜電特性,縮短了通道長度,因此工作頻率高於採用傳統 CMOS 製程的同等級電晶體。





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