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分析師預測2019年MRAM市場規模可達21億美元

上網時間: 2014年04月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MRAM  記憶體  DRAM  SRAM  取代 

市場研究機構 Coughlin Associates 的最新報告預測,磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torque transition,STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。

Coughlin Associates 的報告指出,因為具備省電與非揮發特性,MRAM/STT MRAM市場營收規模可望由 2013年的1.9億美元左右,到2019年成長至21億美元;期間的複合年平均成長率(CAGR)估計為50%。

因為MRAM能以CMOS邏輯製程生產,使其適合做為嵌入式非揮發性記憶體使用;該種記憶體需要額外的磁性材料層以及專門的生產設備,與生產硬碟機內磁性讀寫頭(magnetic read sensors)的設備類似。Coughlin Associates估計,市場對獨立MRAM元件與嵌入式MRAM的需求,將驅動MRAM製造設備市場的成長;該市場規模將由2013年的5,290萬美元,在2019年成長至2.463億美元。

除了MRAM,Coughlin Associates 的報告還討論了相變化記憶體、電阻式記憶體(ReRAM)、鐵電記憶體(FeRAM)以及碳奈米管等技術;該報告指出,ReRAM也有取代快閃記憶體的潛力,但恐怕還要再過十年才可能發生,至於MRAM取代SRAM與DRAM的情況在接下來幾年就會看到,可能早於ReRAM取代快閃記憶體的時程。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Report: Magnetic RAM Set for 50% CAGR,by Peter Clarke)





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