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IR全新StrongIRFET系列提供極低導通電阻

上網時間: 2014年05月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:StrongIRFET  DirectFET  IRL6283M  ORing  MOSFET 

國際整流器公司(International Rectifier,IR)擴充 StrongIRFET 系列,針對高效能運算通訊等應用推出20到30V的元件,並為工業應用推出60V元件,包括電力工具、輕型電動車轉換器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流。

IR StrongIRFET 系列新增20V IRL6283M 元件可在超薄的30mm2 DirectFET 中型罐封裝內配備低至500mΩ(典型值)的極低導通電阻(RDS(on)),以大幅降低傳導損耗,因而非常適合動態 ORing 和電子保險絲(eFuse)應用。

新元件可從3.3V、5V或12V的電源軌作業,而且當電流達到20A時,更比尺寸同為30 mm2的同類型最理想PQFN元件降低15%的損耗,使設計師能夠在高電流應用內減少元件數量。與 DirectFET 系列的其他元件一樣, IRL6283M 提供有效增強電氣和溫度效能的上層散熱功能,以及旨在改善可靠性的無鍵合線設計。

此外, DirectFET 封裝符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)的所有要求,例如完全不含鉛的物料清單可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了高鉛晶片,雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a)項管限,但豁免將於2016年到期。IR的StrongIRFET 系列同時提供採用了工業標準佔用面積的 PQFN 封裝元件,並備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令的環保物料清單。

全新的60V StrongIRFET 功率 MOSFET 系列同樣配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體,以及有助於提高噪音免疫能力的3V典型臨限電壓。

該系列元件提供插入式及表面安裝D2-PAK封裝選擇,包括採用穿孔式封裝的IRFB7530、IRFP7530、IRFB7534、IRFB7537、IRFP7537、IRFB7540、IRFB7545與IRFB7546,以及採用表面安裝D2-PAK封裝的IRFS7530-7P、IRFS7534-7P、IRFS7530、IRFS7534、IRFS7537與IRFS7540,均完全通過工業最高雪崩電流等級的雪崩測試,能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。





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