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新版3D行動記憶體標準JESD229-2出爐

上網時間: 2014年09月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Wide I/O  行動記憶體  3D  標準  JESD229-2 

甫於8月底公布JESD209-4第四代低功耗雙資料速率(LPDDR4)行動記憶體標準(參考連結)的JEDEC固態技術協會(Solid State Technology Association),近日又發佈了新版 3D 架構行動記憶體規格 Wide I/O 2 標準 JESD229-2 ,新標準同樣是為了因應行動運算裝置對記憶體速度與效能的需求。

新標準保留了以矽穿孔(TSV)技術垂直堆疊的Wide I/O形式,但速度明顯提升(四倍),在電源方面也有改變;具體說來,新的Wide I/O 2標準支援1.1V電源、最高68GB/s記憶體頻寬,鎖定智慧型手機、平板裝置以及遊戲機等應用。市場預期Wide I/O 2以及LPDDR4兩項新標準,將支援行動記憶體供應商同時提供水平與垂直(即3D)架構解決方案選項。

Wide I/O 2的重點規格包括:

˙通道數──4與8;

˙記憶體區塊(bank)數──每晶片32個;

˙記憶容量──8Gb~32Gb;

˙分頁大小(Page size)──4KB (4通道晶片)、2KB (8通道晶片);

˙晶片最大頻寬──34GB/s (4通道晶片)、68GB/s (8通道晶片);

˙最大I/O速度:分為1066 Mbit/s、800 Mbit、與1066 Mbit/s三類;

˙操作電壓──1.1V。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: JEDEC Releases Wide I/O 2 Mobile DRAM Standard,by Janine Love)





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