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ST最新高電壓RF電晶體滿足E級工業電源要求

上網時間: 2014年11月13日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:RF  功率電晶體  STAC250V2-500E  STAC  SuperDMOS 

意法半導體(ST)的13.6MHz RF 功率電晶體 STAC250V2-500E 採用熱效率極高的微型封裝,擁有先進的穩定性與高功率密度,適用於高輸出功率的E級工業電源。

STAC250V2-500E 的負載失配率為20:1,性能是迄今為止市場上最高、最大安全功率高達600W。和採用傳統陶瓷封裝的解決方案相較,0.55x1.35吋的 STAC 氣腔封裝(air-cavity package)可縮減產品尺寸約50%。兩顆 STAC250V2-500E 電晶體所佔的面積小於一顆陶瓷電晶體的佔板面積,可實現高於1kW的精巧電源設計;氣腔封裝可降低25%的熱電阻率(thermal resistance),有助於提升電晶體設計可靠性。

STAC250V2-500E 的產品優勢可確保目標應用的卓越性能,包括感應加熱器、電漿輔助氣相沈積系統(plasma-enhanced vapor-deposition system)、太陽能面板與平面電視的生產設備。

STAC250V2-500E 採用意法半導體最新的 SuperDMOS 高電壓技術,最大工作電壓為250V;而高於900V的崩潰電壓可確保E級感應諧振電路與D級功率放大器等其它應用的穩定性。

STAC250V2-500E 目前已開始量產,採 STAC177 封裝。





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