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功率技術/新能源  

IR推出25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

上網時間: 2014年12月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:PQFN  功率模組  IRFH4257D  FastIRFET  MOSFET 

國際整流器公司(International Rectifier,IR)推出採用高效能4×5 PQFN 功率模組封裝的 IRFH4257D FastIRFET 雙功率 MOSFET 。此項新的封裝選擇使IR的功率模組系列產品效能得以延伸至更低功率的設計,適用於先進的電信與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電(Ultrabook)及筆記型電腦等12V輸入 DC-DC 同步降壓應用。

IRFH4257D 配備IR新一代矽技術和專用封裝技術,以精密的4×5功率模組提供卓越的溫度效能、低導通電阻(RDS(on))與閘極電荷(Qg),帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IRFH4257D 與IR其他 FastIRFET 元件一樣,可與各種控制器或驅動器搭配作業,為單相位或多相位應用提供設計靈活性,同時實現更高的電流、效率和頻率。現在系列產品增添了 IRFH4257D ,設計人員便可選擇4×5或5×6 PQFN封裝以滿足其設計要求。」

IRFH4257D 符合工業級和第一級濕度感應度(MSL1)標準,其物料清單不但環保亦不含鉛,符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)。產品現正接受批量訂單。





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