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功率技術/新能源  

威世VRPower整合型DrMOS瞄準高功率多相POL應用

上網時間: 2015年01月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:VRPower  DrMOS  PowerPAK  POL 

威世科技(Vishay)推出新型 VRPower 整合型 DrMOS 功率級解決方案,提供三種 PowerPAK 封裝尺寸,以因應高功率高效率多相 POL 應用領域需求,例如需要高電流以及有空間限制的運算、儲存設備、電信交換器、路由器、繪圖卡與比特幣挖礦機的 DC/DC 轉換器等。

威世 Siliconix SiC789 與 SiC788 採用 MLP66-40L 封裝,為 Intel 4.0 DrMOS 標準(6 mm x 6 mm) 腳位,而 SiC620 及 SiC620R 則採用全新的 5 mm x 5 mm MLP55-31L 封裝,SiC521 則是 4.5 mm x 3.5 mm 的 MLP4535-22L 封裝。

SiC789 及 SiC788 的 6 mm x 6 mm 提供更方便的升級路徑,針對設計上需要更高的輸出功率並已使用Intel 標準 DrMOS 4.0 的腳位,全新5 mm x 5 mm 及 3.5 mm x 4.5 mm的腳位,為設計上需要更侷限、緊密空間的電壓調節器提供更理想的選擇。 PowerPAK MLP55-31L 及 MLP4535-22L 改善了數種在封裝上所產生的寄生及熱度效應,實現在 Gen IV MOSFET 的最先進動態性能。

例如,在傳統多相降壓型轉換器設計中,採用雙邊冷卻 MLP55-31L 封裝的 SiC620R 可傳送 70 A,效率為 95%。本裝置能同時冷卻封裝頂部及底部,較前一代封裝相較減少 20 % 的損失,佔板面積也減少 33 %。縮小型的 3.5 mm x 4.5 mm SiC521 可在筆電、伺服器週邊設備、電信交換器、遊戲主機板等設計中傳送高達 25 A 的連續電流,電流峰值達到 40 A。

VRPower 系列閘極驅動 IC 可應用於多種 PWM 控制器,並支援 5 V 及 3.3 V 的三態 PMW 邏輯。此外,驅動 IC 結合了二極體模擬模式電路,用於提升輕載效率。另外,自適應死區時間控制,能更進一步提升所有負載點的效率。本裝置更具備欠電壓鎖定功能(UVLO)、短路保護及過熱警告(能在系統接面溫度過高時發出警示)等特殊功能。





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