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應材最新電子束量測機台瞄準FinFET及3D元件量產

上網時間: 2015年02月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:先進微影技術  3D  3D CD SEM  VeritySEM 5i  FinFET 

在日前於加州聖荷西市舉行的國際光學工程學會(SPIE)先進微影技術研討會上,應用材料公司(Applied Materials)推出首創的產線用 3D 臨界尺寸量測掃描式電子顯微鏡(3D CD SEM)量測系統—— Applied VeritySEM 5i ,在測量 3D 快閃記憶體(3D NAND)和鰭式場效電晶體(FinFET)元件的高深比及複雜功能上,能有效克服瓶頸。

最新的 Applied VeritySEM 5i 系統提供先進的高解析度影像及背向散射電子(BSE)技術,可實現優異的產線 CD 控制。使用 VeritySEM 5i 系統,可加速晶片製造商製程開發及產量提升,改善量產後的元件效能及良率。

應用材料公司企業副總裁暨製程診斷與控制事業處總經理依泰•羅森費德(Itai Rosenfeld)表示:「複雜的 3D 結構需要新的測量維度,對量測技術的要求也因此更高,持續仰賴傳統的 CD SEM 技術來測量 3D元件,幾乎已不可行。以應用材料公司先進的電子束技術及影像處理的專精,這套機台所提供影像技術的創新,能針對元件進行快速精確的 CD SEM 量測,讓客戶在研發、產能擴充和量產過程中,得以觀察、測量和控制 3D 元件。

此外,「多家客戶均因採用這套機台而從中受惠,明顯提高新式 3D 元件的良率。晶片製造商必須持續追求精密量測控制的新能力,才能轉移至 3D 架構並進入10 奈米以下的技術。」

日漸複雜的高效能高密度 3D 元件需要創新的精準量測,才能有效提高元件效能、減少變異性,進而提升良率。先進的高解析度 SEM 電子腔、傾斜式電子束和 BSE 影像,賦予了 VeritySEM 5i 系統獨一無二的 3D 量測能力,能為最重要且具挑戰性的 FinFET and 3D NAND 結構進行產線測量和監控。尤其適用於底部臨界尺寸(CD)的 BSE 影像,讓晶片製造商得以確保底層與疊覆金屬層間能夠正確連結。

在控制 FinFET 側壁和閘極與鰭片高度方面,微小的變異量即會對元件效能和良率造成影響,而 VeritySEM 5i系統的傾斜電子束可提供精確且穩定的線上測量。高解析度 BSE 能強化垂直方向高深寬比的靈敏度,方便為非對稱側壁及 3D NAND 元件的 CD 底部進行測量,其深寬比可達60:1以上。





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