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分析師預言英特爾10奈米技術細節

上網時間: 2015年04月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  量子阱  電晶體  10奈米製程   

最近有位半導體產業分析師針對英特爾(Intel)將在下兩個製程世代使用的技術,提出了大膽且詳細的預測;如果他的預言成真,意味著晶片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導體同業。

這位分析師David Kanter在他自己的網站發表一篇分析文章(參考連結),指出英特爾將會在10奈米節點採用量子阱(quantum well) FET;這種新的電晶體架構將會採用兩種新材料──以砷化銦鎵(indium gallium arsenide,InGaAs)製作n型電晶體,以應變鍺(strained germanium)製作p型電晶體。

若預測正確,英特爾最快在2016年可開始生產10奈米製程電晶體,且功耗能比其他製程技術低200毫伏(millivolts);Kanter預期,其他半導體製造業者在7奈米節點之前難以追上英特爾的技術,差距約是兩年。Kanter指出,英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10奈米製程計畫,而他自認其預測有八九成的準確度。

英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發的InGaAs製程技術
英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發的InGaAs製程技術

Kanter的分析文章是根據對英特爾在年度IEEE國際電子元件會議(IEDM)發表的數十篇篇論文研究所得,此外還有英特爾與晶片製造相關的專利;他在接受EETimes美國版訪問時表示:「我所看到的一切都朝這個方向發展;問題應該不在於英特爾會不會製作量子阱FET,而是他們會在10奈米或7奈米節點開始進行。」

「在電晶體通道採用複合半導體材料並非只有英特爾一家在研究,但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發表的這麼多;」Kanter指出:「英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少,但該技術較廣為人知。」此外他預期英特爾會採用純鍺,不過也可能會透過先採用矽鍺(silicon germanium)來達到該目標。

Kanter並表示他在發表分析文章之前,曾提供內容給英特爾看;不過該公司婉拒發表任何相關評論。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Intel's 10nm Secrets Predicted,by Rick Merritt)





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