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力旺電子NeoFuse於16奈米FinFET完成驗證

上網時間: 2015年05月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:16nm  FinFET  HKMG  OTP  晶圓代工 

力旺電子單次可程式(One-Time Programmable,OTP)NeoFuse技術於16奈米(nm)鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)製程平台成功完成驗證,並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用。28奈米方面亦已布建於台灣、美國、中國地區多家晶圓代工廠之多晶矽氮氧化矽(Poly SiON)與高介電金屬閘極(High-K Metal Gate,HKMG)製程平台並進入量產階段,量產效益將持續擴張。

NeoFuse技術已於多家國際級晶圓代工廠之0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米的邏輯、高壓(High-Voltage,HV)、低電(Low-Power,LP)、超低電(Ultra-Low Power,ULP)等製程平台完成佈建並進入量產,並獲多家客戶採用,如嵌入設計於影像感測晶片、影像訊號處理器(Image Signal Processor,ISP)、感測器中樞(Sensor Hub)、微機電系統控制晶片(MEMS Controller)、安全微控制器(Security Microcontroller Unit,Security MCU)與動態隨機存取記憶體DRAM修護(DRAM Repair)等應用領域。

NeoFuse矽智財應用範疇廣泛涵蓋程式碼儲存(Code Storage)、加解密碼儲存(Code Encryption)、身份識別(Identification)及電路調校(Analog Trimming)等。透過晶片內建NeoFuse,其獨特的反熔絲結構與讀寫技術能提供安全金鑰(Security Key),可於資料寫入後進入唯讀保護模式,防護晶片內儲存之資料受到破壞及竄改,其資訊安全防護等級更已獲得CA認證。力旺電子的嵌入性非揮發性記憶體矽智財,具備能經由特殊線路設計達成超低電壓讀取的特性,可於系統功能啟動前即提供韌體與晶片之間的身份辨識功能,強化資訊保護,為重視資料安全如物聯網與智慧家庭等應用,提升產品附加價值。





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