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SST和GLOBALFOUNDRIES汽車級嵌入式快閃記憶體已獲認證

上網時間: 2015年05月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:嵌入式快閃記憶體  非揮發性記憶體  低功耗強化型  RF  MCU 

微芯(Microchip)透過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與GLOBALFOUNDRIES宣佈,基於GLOBALFOUNDRIES 55奈米(nm)低功耗強化型(LPx)/RF平台的SST 55nm嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體(NVM)產品已通過全面認證並開始投放市場。

GLOBALFOUNDRIES結合分離閘極單元設計的55nm SuperFlash技術的製程認證測試採用JEDEC標準。同時,這一製程技術也符合AEC-Q100 1級認證標準,環境溫度範圍為-40~125°C,耐用度達到100K燒寫/抹除次數,在150°C條件下可實現超過20年的資料保存年限。

根據IHS預測,2015年汽車半導體市場規模將達到310億美元,相較於2014年增幅可高達7.5%。而基於嵌入式快閃記憶體的半導體產品則在這一市場佔有相當大的比重。

配備eNVM技術GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平台現已上市。該平台技術備有一個自訂庫,包含針對特定微控制器(MCU)產品應用有現成且經優化的eNVM IP模組,是一款可縮短產品開發週期的解決方案。





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