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因應中國市場需求 Intel大連廠轉生產3D NAND

上網時間: 2015年10月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  大連  中國  記憶體  NAND Flash 

半導體產業龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國大連市政府配合,將原先以65奈米製程生產處理器晶片的中國大連廠,轉型為生產最新的3D-NAND Flash 晶片,總投資金額高達55億美元,預計於明年下半年開始量產。

根據TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新公布數據,2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產值高達66.7億美元,占全球產值29.1%,明年更可望達到全球NAND Flash產量的三分之一,成長幅度十分驚人。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示,英特爾大連廠在2010年完工,原先規劃以12吋晶圓搭配65奈米製程來生產中央處理器為主,但經營績效不如預期。此次轉型生產最先進的3D-NAND Flash,除了可以提升大連廠的生產績效外,也可望搭上中國記憶體消耗量起飛的快速成長期,以及最重要的配合中國政府積極投入記憶體產業的大趨勢,可謂是雙贏的布局。

根據英特爾投資金額與大連廠的產能建置來評估,DRAMeXchange初步預估每個月至少可布建30,000-40,000片的3D-NAND Flash。英特爾在與美光共同開發3D-NAND Flash以及3D X Point等戰略合作關係更加緊密的情況下,新增的大連廠3D-NAND Flash產能將提供美光英特爾陣營更有彈性的產能規劃,來滿足高成長的固態硬碟需求。

楊文得進一步表示,NAND Flash市場在今年第四季到明年第一季供過於求的格局將不會產生變化,但在NAND Flash產業低檔時刻,中國政府仍積極加速推動中國本土NAND Flash與SSD供應鏈的布建(中國模組大廠江波龍與主控芯片廠Marvell戰略合作、武漢新芯持續加速3D-NAND Flash的開發等),並加強透過與國際NAND Flash大廠合作的串聯契機(三星西安廠3D-NAND Flash產能明年可望提升每個月10萬片的水準),預期未來英特爾大連廠明年下半年完工後,中國NAND Flash市場將更為百花齊放。





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