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Altera首款異質架構SiP整合HBM2 DRAM和FPGA

上網時間: 2015年11月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:異質架構  SiP  HBM2  Stratix 10  FPGA 

Altera公開首款異質架構系統級封裝(SiP)元件,整合了來自SK海力士(SK Hynix)的堆疊寬頻記憶體(HBM2)以及高性能Stratix 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類元件,其特殊的架構設計滿足了高性能系統對記憶體頻寬最嚴格的要求。

隨著資料中心、廣播、固網和高性能運算等系統要處理的資料量不斷攀升,需要的頻寬非常高。相對於目前的獨立DRAM解決方案,Stratix 10 DRAM SiP的記憶體頻寬提高了10倍。

Altera率先將這種突破性的3D堆疊記憶體技術和FPGA整合在一起。Stratix 10 DRAM SiP支援使用者以高功率效益的方式訂製其工作負載,獲得最大記憶體頻寬。Altera與數十家客戶積極合作,在其下一代高階系統中整合了這些DRAM SiP產品。

Altera的異質架構SiP產品使用Intel的嵌入式多晶片互聯橋接(EMIB)技術來實現。EMIB技術採用高性能、高密度矽晶片短橋接在單個封裝中將多個晶片連接起來。EMIB技術的晶片之間走線非常短,支援Altera以高性能價格比的方式建構異質架構SiP元件,與採用中介層的解決方案相比,性能更好,傳輸量更大,而功率消耗更低。

Altera的異質架構SiP策略是在單個封裝中整合單顆FPGA和先進的元件,例如,記憶體、處理器、類比、光學和各類硬式核心通訊協定等。Altera高度整合的SiP產品將滿足通訊、高性能運算、廣播和軍事領域高階應用最嚴苛的性能和記憶體頻寬需求。

在極小的外形封裝中,SK海力士公司的寬頻記憶體不但頻寬非常高,而且功率消耗低於競爭的記憶體解決方案。寬頻記憶體(HBM2)縱向堆疊了DRAM晶片,使用直通矽晶穿孔(TSV)和微凸塊將其連接起來。在異質架構SiP中整合HBM2,這種實現方式讓Altera能夠將DRAM記憶體盡可能靠近FPGA晶片進行封裝,進而縮短了走線長度,以最低功率消耗實現最大記憶體頻寬。

此外,Altera並宣佈獲得Frost & Sullivan的全球FPGA技術創新領先獎,彰顯Altera在其Arria 10 FPGA中實現IEEE 754單精確度硬式核心浮點DSP(數位訊號處理)模組——處理速率高達1.5 TFLOPS(每秒兆次浮點運算),進一步提高了數位系統設計的能源效益和生產效率。Altera的可程式設計元件協助客戶針對大數據和搜尋應用、資料中心加速、軍事通訊和高性能運算等需要高精度運算的領域來最佳化設計。

客戶現在可以使用快速前向編譯性能評估工具啟動其Stratix 10設計。Altera將於2016年開始發售Stratix 10 FPGA和SoC,於2017年開始發售Stratix 10 DRAM SiP產品。





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