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光電/顯示技術  

研究人員利用半極性GaN生長高效益LED

上網時間: 2016年01月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:半極性  氮化鎵  GaN  藍寶石  LED 

英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發佈在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。

利用在M-Plane 藍寶石基板上生長的GaN製造的微柱陣列模板,研究人員能在其上過度生長的半極性GaN (11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。

相較於在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED,該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發光波長的藍位移隨著驅動電流增加而減少。在藍位移所觀察到的情況也適用在黃綠與黃光LED上,因此,研究人員發現所生長的LED存在一種有效抑制量子而限制星炫的效應。


分別在5mA、20mA與100mA時拍攝的(a)綠(b)黃綠(C)黃(d)琥珀色LED電致發光圖
(來源:Applied Physics Letter)

研究人員在晶圓上測得光源輸出隨電流提升而呈線性增加,而其外部量子效率顯示較商用C-Plane LED的效率衰減(efficiency-droop)情況已明顯改善了。電致發光偏振測量顯示半極性LED的偏振比約為25%。

研究人員聲稱,初步的結果顯示,過度生長技術是一種更具有潛在成本效益的方法,可在較長波長區域中實現高效能的半極性GaN發射器。

編譯:Susan Hong

(參考原文:LED grown on semi-polar GaN emits green and yellow colors,by Paul Buckley)





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