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Entegris新型post-CMP清潔溶液問世

上網時間: 2016年02月05日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:後化學機械研磨  post-CMP  機械拋光  晶圓汙染  FEOL 

Entegris推出適用於半導體製程的新型後化學機械研磨(post-CMP)清潔溶液。新型PlanarClean AG系列產品是專為10nm以下的製程所設計,如今加入Entegris領先業界的post-CMP清潔溶液之列。

矽晶圓製造的CMP程序包含機械拋光步驟,過程中會使用化學研磨液配方,去除整合元件表面上的多餘導電性或介電物質,以便達到平滑效果而可推疊其他積體電路層。post-CMP清潔步驟能夠去除奈米顆粒,將晶圓污染的可能性降到最低,同時維持各層既有物質的完整性。

在高階製程的清潔步驟中,外露薄膜及材料的數量和類型改變,更凸顯出特調清潔溶液的必要性。此外,研磨液顆粒的改變使得許多傳統的post-CMP清潔溶液在用於先進製程時,顯得效率低弱或毫無效果,尤以前端製程(FEOL)最為明顯。這些難題促使半導體製造商開始選擇調配清潔溶液,捨棄一般的商品清潔溶液。

PlanarClean AG調配溶液符合這些需求,在銅、鈷和鎢等高階製程中展現一步到位的優異清潔效果,還能保護底層的薄膜和物質。專利配方有助於提升可靠度和產量、達到零腐蝕及零污染的程度、增加等待時間,最後為客戶提高效能。另外,PlanarClean AG能夠減少清潔步驟所需的化學品用量,進而發揮持有成本的優勢;亦符合最新的晶圓廠化學品EHS安全要求。產品已在多家領先的晶圓大廠通過評估,目前也已向所有客戶公開販售。





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