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Oki發佈無線基地台用氮化鎵功率電晶體樣品

上網時間: 2005年01月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Oki Electric  Gallium Nitride  氮化鎵  GaN-HEMT  High Electron Mobility Transistor 

Oki Electric公司發佈了一款氮化鎵高電子遷移電晶體(GaN-HEMT)元件,即適用於無線基地台的高頻波動功率電晶體產品,這種新型電晶體採用氮化鎵材料製成,可降低3G行動電話、PHS和無線都會區域網(MAN)中無線電信基地台的尺寸和功耗。

GaN-HEMT可在比GaAs-HEMT高出3~5倍的電壓下工作,因而能實現更高的電壓供電。此外,由於工作電流可降低為原來的1/3到1/5,週邊設備元件的功耗得以降低,因而降低整個電路的功耗。因此,高輸出無線和無線基地台產品通常都採用GaN-HEMT元件。

Oki公司計畫於2006年初發送上述元件的樣品,並於2006年下半年開始量產。





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